概要

　光通信、光集積回路、集積回路内光配線のためのナノデバイス開発、プロセス技術、半導体結晶成長技術、量子構造における物性計算、導波路シミュレーション等に関する研究を行っています。最近の研究テーマは以下の通りです。
・半導体レーザ、LED、光スイッチ、光変調器、リング共振器、光導波路
・光インターコネクション用光デバイスの開発
・量子ドット、ナノワイヤ成長とそのデバイス応用
・MOVPEによる結晶成長、選択成長技術

応用例

光通信、光集積回路、集積回路内光配線のためのデバイス、およびそのデバイス開発のためのプロセス技術・結晶成長技術へ応用できます。

今後の発展性

新機能、高機能性を持つ光デバイスの開発、およびシリコン基板上レーザ開発のための基本技術の開拓を目指しています。

研究設備

有機金属気相装置、SiO₂ CVD装置、PL測定装置、近視野像観測装置

共同研究・外部機関との連携への期待

シリコンフォトニクスのためのナノ構造作製技術、光デバイスの開発、実システムへのデバイス応用

関連特許・論文等

K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura, “Novel integration method for III–V semiconductor devices on silicon platform”, Jpn. J. Appl. Phys., vol.55, no.11, p.112201, 2016.
S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi and K. Shimomura, “Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode”, Applied Physics Express, vol.5, 092103, Sept. 2012.
S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki and K. Shimomura, “Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater”, IEICE Trans. Electron., vol.E95-C, no. 7, pp. 1265-1271, July 2012.